2N7288H Todos los transistores

 

2N7288H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N7288H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.623 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-257AA
 

 Búsqueda de reemplazo de 2N7288H MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

2N7288H Datasheet (PDF)

 8.1. Size:46K  harris semi
 2n7288d-r-h.pdf pdf_icon

2N7288H

2N7288D, 2N7288RS E M I C O N D U C T O R2N7288HREGISTRATION PENDINGRadiation HardenedAvailable as FRS244 (D, R, H)N-Channel Power MOSFETsNovember 1994Features Package 9A, 250V, RDS(on) = 0.415TO-257AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si

 9.1. Size:177K  no
 2n7272 2n7275 2n7278 2n7281.pdf pdf_icon

2N7288H

INCH-POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision shall MIL-PRF-19500/604Bbe completed by 30 November 2004. 30 July 2004 SUPERSEDINGMIL-PRF-19500/604A21 June 1999PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET SEMICONDUCTOR DEVICE, FIELD EFFECT RADIATION HARDENED (TOTAL DOSE CHARACTERIZATION ONLY) TRANSISTORS, N-CHANNEL, SILICON, TYPES

Otros transistores... 2N6452 , 2N6453 , 2N6454 , 2N6804 , 2N6806 , 2N7091 , 2N7288D , 2N7288R , AO3401 , BF246B , BF247A , BST100 , BST70A , BUZ326 , FJN598J , FJX597JB , FS10KM-10 .

History: APT5010B2LL | FDD45AN06LA0 | MMF60R580QTH | KI3305DS | APT4525AN

 

 
Back to Top

 


 
.