ISL9N303AS3ST Todos los transistores

 

ISL9N303AS3ST MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ISL9N303AS3ST

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 215 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 75 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3 V

Carga de compuerta (Qg): 172 nC

Tiempo de elevación (tr): 80 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1350 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0032 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-263AB

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ISL9N303AS3ST Datasheet (PDF)

1.1. isl9n303ap3.pdf Size:269K _fairchild_semi

ISL9N303AS3ST
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September 2002 PWM Optimized ISL9N303AP3 / ISL9N303AS3ST / ISL9N303AS3 N-Channel Logic Level UltraFET Trench MOSFETs 30V, 75A, 3.2m? General Description Features This device employs a new advanced trench MOSFET Fast switching technology and features low gate charge while maintaining rDS(ON) = 0.0026? (Typ), VGS = 10V low on-resistance. rDS(ON) = 0.004? (Typ), VGS = 4.5V Optimized

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
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