ISL9N303AS3ST Todos los transistores

 

ISL9N303AS3ST MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ISL9N303AS3ST

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 215 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 75 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3 V

Carga de compuerta (Qg): 172 nC

Tiempo de elevación (tr): 80 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1350 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0032 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-263AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ISL9N303AS3ST

 

ISL9N303AS3ST Datasheet (PDF)

1.1. isl9n303ap3.pdf Size:269K _fairchild_semi

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September 2002 PWM Optimized ISL9N303AP3 / ISL9N303AS3ST / ISL9N303AS3 N-Channel Logic Level UltraFET Trench MOSFETs 30V, 75A, 3.2m? General Description Features This device employs a new advanced trench MOSFET Fast switching technology and features low gate charge while maintaining rDS(ON) = 0.0026? (Typ), VGS = 10V low on-resistance. rDS(ON) = 0.004? (Typ), VGS = 4.5V Optimized

3.1. isl9n302as3st.pdf Size:249K _update-mosfet

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April 2002 ISL9N302AS3ST N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET® Trench Power MOSFETs General Description Features This device employs a new advanced trench MOSFET • Fast switching technology and features low gate charge while maintaining • rDS(ON) =0.0019Ω (Typ), VGS =10V low on-resistance. • rDS(ON) =0.0027Ω (Typ), VGS =4.5V Optimized for switching applications, this

3.2. isl9n302ap3.pdf Size:121K _update-mosfet

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January 2002 ISL9N302AP3 N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET® Trench Power MOSFETs General Description Features This device employs a new advanced trench MOSFET • Fast switching technology and features low gate charge while maintaining • rDS(ON) = 0.0019Ω (Typ), VGS = 10V low on-resistance. • rDS(ON) = 0.0027Ω (Typ), VGS = 4.5V Optimized for switching applications,

Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
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