J107 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: J107
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 0.625 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 25 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 4.5 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 8 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO-92
Búsqueda de reemplazo de MOSFET J107
J107 Datasheet (PDF)
0.1. 2sj107.pdf 
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2SJ107 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel Junction Type 2SJ107 For Audio Amplifier, Analog Switch, Constant Current Unit: mm and Impedance Converter Applications High input impedance: IGSS = 1.0 nA (max) (V = 25 V) GS Low R : R = 40 (typ.) DS (ON) DS (ON) Small package Complementary to 2SK366 Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Chara
0.2. j105 j106 j107 jftj105.pdf Size:718K _fairchild_semi
J105 JFTJ105J106J107GDGSSOT-223TO-92GSNOTE: Source & DrainD are interchangeableN-Channel SwitchThis device is designed for analog or digital switching applications wherevery low On Resistance is mandatory. Sourced from Process 59.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVDG Drain-Gate Voltage 25 VVGS Gate-Sour
0.3. j105 j106 j107.pdf Size:48K _vishay
J105/106/107Vishay SiliconixN-Channel JFETsPRODUCT SUMMARYPart Number VGS(off) (V) rDS(on) Max (W) ID(off) Typ (pA) tON Typ (ns)J105 4.5 to 10 3 10 14J106 2 to 6 6 10 14J107 0.5 to 4.5 8 10 14FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Low On-Resistance: J105
Otros transistores... FS3KM-10 , PS0151 , IPS0151S , ISL9N303AP3 , ISL9N303AS3ST , ISL9N303AS3 , J105 , J106 , IRF630A , JFTJ105 , J174 , J175 , J176 , J177 , MMBFJ175 , MMBFJ176 , MMBFJ177 .
