J107 Todos los transistores

 

J107 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: J107

Tipo de FET: JFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.625 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 25 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 4.5 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 8 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-92

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J107 Datasheet (PDF)

0.1. 2sj107.pdf Size:321K _toshiba

J107
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2SJ107 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel Junction Type 2SJ107 For Audio Amplifier, Analog Switch, Constant Current Unit: mm and Impedance Converter Applications High input impedance: IGSS = 1.0 nA (max) (V = 25 V) GS Low R : R = 40 (typ.) DS (ON) DS (ON) Small package Complementary to 2SK366 Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Chara

0.2. j105 j106 j107 jftj105.pdf Size:718K _fairchild_semi

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J105 JFTJ105J106J107GDGSSOT-223TO-92GSNOTE: Source & DrainD are interchangeableN-Channel SwitchThis device is designed for analog or digital switching applications wherevery low On Resistance is mandatory. Sourced from Process 59.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVDG Drain-Gate Voltage 25 VVGS Gate-Sour

 0.3. j105 j106 j107.pdf Size:48K _vishay

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J105/106/107Vishay SiliconixN-Channel JFETsPRODUCT SUMMARYPart Number VGS(off) (V) rDS(on) Max (W) ID(off) Typ (pA) tON Typ (ns)J105 4.5 to 10 3 10 14J106 2 to 6 6 10 14J107 0.5 to 4.5 8 10 14FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Low On-Resistance: J105

Otros transistores... FS3KM-10 , PS0151 , IPS0151S , ISL9N303AP3 , ISL9N303AS3ST , ISL9N303AS3 , J105 , J106 , IRF630A , JFTJ105 , J174 , J175 , J176 , J177 , MMBFJ175 , MMBFJ176 , MMBFJ177 .

 

 
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