J107 Todos los transistores

 

J107 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: J107
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.625 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-92
 

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J107 datasheet

 ..1. Size:718K  fairchild semi
 j105 j106 j107 jftj105.pdf pdf_icon

J107

J105 JFTJ105 J106 J107 G D G S SOT-223 TO-92 G S NOTE Source & Drain D are interchangeable N-Channel Switch This device is designed for analog or digital switching applications where very low On Resistance is mandatory. Sourced from Process 59. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VDG Drain-Gate Voltage 25 V VGS Gate-Sour

 ..2. Size:48K  vishay
 j105 j106 j107.pdf pdf_icon

J107

J105/106/107 Vishay Siliconix N-Channel JFETs PRODUCT SUMMARY Part Number VGS(off) (V) rDS(on) Max (W) ID(off) Typ (pA) tON Typ (ns) J105 4.5 to 10 3 10 14 J106 2 to 6 6 10 14 J107 0.5 to 4.5 8 10 14 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D Low On-Resistance J105

 0.1. Size:321K  toshiba
 2sj107.pdf pdf_icon

J107

2SJ107 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel Junction Type 2SJ107 For Audio Amplifier, Analog Switch, Constant Current Unit mm and Impedance Converter Applications High input impedance IGSS = 1.0 nA (max) (V = 25 V) GS Low R R = 40 (typ.) DS (ON) DS (ON) Small package Complementary to 2SK366 Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Chara

Otros transistores... FS3KM-10 , PS0151 , IPS0151S , ISL9N303AP3 , ISL9N303AS3ST , ISL9N303AS3 , J105 , J106 , MMIS60R580P , JFTJ105 , J174 , J175 , J176 , J177 , MMBFJ175 , MMBFJ176 , MMBFJ177 .

 

 

 


 
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