Справочник MOSFET. J107

 

J107 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: J107
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.625 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
   Тип корпуса: TO-92
 

 Аналог (замена) для J107

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

J107 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:718K  fairchild semi
 j105 j106 j107 jftj105.pdf pdf_icon

J107

J105 JFTJ105J106J107GDGSSOT-223TO-92GSNOTE: Source & DrainD are interchangeableN-Channel SwitchThis device is designed for analog or digital switching applications wherevery low On Resistance is mandatory. Sourced from Process 59.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVDG Drain-Gate Voltage 25 VVGS Gate-Sour

 ..2. Size:48K  vishay
 j105 j106 j107.pdf pdf_icon

J107

J105/106/107Vishay SiliconixN-Channel JFETsPRODUCT SUMMARYPart Number VGS(off) (V) rDS(on) Max (W) ID(off) Typ (pA) tON Typ (ns)J105 4.5 to 10 3 10 14J106 2 to 6 6 10 14J107 0.5 to 4.5 8 10 14FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Low On-Resistance: J105

 0.1. Size:321K  toshiba
 2sj107.pdf pdf_icon

J107

2SJ107 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel Junction Type 2SJ107 For Audio Amplifier, Analog Switch, Constant Current Unit: mm and Impedance Converter Applications High input impedance: IGSS = 1.0 nA (max) (V = 25 V) GS Low R : R = 40 (typ.) DS (ON) DS (ON) Small package Complementary to 2SK366 Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Chara

Другие MOSFET... FS3KM-10 , PS0151 , IPS0151S , ISL9N303AP3 , ISL9N303AS3ST , ISL9N303AS3 , J105 , J106 , 2N7002 , JFTJ105 , J174 , J175 , J176 , J177 , MMBFJ175 , MMBFJ176 , MMBFJ177 .

History: 3N172

 

 
Back to Top

 


 
.