J107 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: J107  📄📄 

Тип транзистора: JFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.625 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 4.5 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm

Тип корпуса: TO-92

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для J107

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

J107 даташит

 ..1. Size:718K  fairchild semi
 j105 j106 j107 jftj105.pdf pdf_icon

J107

J105 JFTJ105 J106 J107 G D G S SOT-223 TO-92 G S NOTE Source & Drain D are interchangeable N-Channel Switch This device is designed for analog or digital switching applications where very low On Resistance is mandatory. Sourced from Process 59. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VDG Drain-Gate Voltage 25 V VGS Gate-Sour

 ..2. Size:48K  vishay
 j105 j106 j107.pdf pdf_icon

J107

J105/106/107 Vishay Siliconix N-Channel JFETs PRODUCT SUMMARY Part Number VGS(off) (V) rDS(on) Max (W) ID(off) Typ (pA) tON Typ (ns) J105 4.5 to 10 3 10 14 J106 2 to 6 6 10 14 J107 0.5 to 4.5 8 10 14 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D Low On-Resistance J105

 0.1. Size:321K  toshiba
 2sj107.pdf pdf_icon

J107

2SJ107 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel Junction Type 2SJ107 For Audio Amplifier, Analog Switch, Constant Current Unit mm and Impedance Converter Applications High input impedance IGSS = 1.0 nA (max) (V = 25 V) GS Low R R = 40 (typ.) DS (ON) DS (ON) Small package Complementary to 2SK366 Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Chara

Другие IGBT... FS3KM-10, PS0151, IPS0151S, ISL9N303AP3, ISL9N303AS3ST, ISL9N303AS3, J105, J106, MMIS60R580P, JFTJ105, J174, J175, J176, J177, MMBFJ175, MMBFJ176, MMBFJ177