JFTJ105 Todos los transistores

 

JFTJ105 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JFTJ105

Tipo de FET: JFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm

Encapsulados: SOT-223

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JFTJ105 datasheet

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JFTJ105

J105 JFTJ105 J106 J107 G D G S SOT-223 TO-92 G S NOTE Source & Drain D are interchangeable N-Channel Switch This device is designed for analog or digital switching applications where very low On Resistance is mandatory. Sourced from Process 59. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VDG Drain-Gate Voltage 25 V VGS Gate-Sour

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History: J174

 

 

 

 

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