JFTJ105 Todos los transistores

 

JFTJ105 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JFTJ105
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223
     - Selección de transistores por parámetros

 

JFTJ105 Datasheet (PDF)

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 j105 j106 j107 jftj105.pdf pdf_icon

JFTJ105

J105 JFTJ105J106J107GDGSSOT-223TO-92GSNOTE: Source & DrainD are interchangeableN-Channel SwitchThis device is designed for analog or digital switching applications wherevery low On Resistance is mandatory. Sourced from Process 59.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVDG Drain-Gate Voltage 25 VVGS Gate-Sour

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History: DMP1096UCB4 | SMOS44N80 | AM2336N-T1 | G11 | CEF05N6 | UPA2720AGR

 

 
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