Справочник MOSFET. JFTJ105

 

JFTJ105 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JFTJ105
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223
 

 Аналог (замена) для JFTJ105

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JFTJ105 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:718K  fairchild semi
 j105 j106 j107 jftj105.pdf pdf_icon

JFTJ105

J105 JFTJ105J106J107GDGSSOT-223TO-92GSNOTE: Source & DrainD are interchangeableN-Channel SwitchThis device is designed for analog or digital switching applications wherevery low On Resistance is mandatory. Sourced from Process 59.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVDG Drain-Gate Voltage 25 VVGS Gate-Sour

Другие MOSFET... PS0151 , IPS0151S , ISL9N303AP3 , ISL9N303AS3ST , ISL9N303AS3 , J105 , J106 , J107 , HY1906P , J174 , J175 , J176 , J177 , MMBFJ175 , MMBFJ176 , MMBFJ177 , J201 .

History: ME25N15AL | FQA55N10 | 2SK4111 | HSM4002 | STD35NF3LL | IRFR4615PBF | JCS8N65F

 

 
Back to Top

 


 
.