Справочник MOSFET. JFTJ105

 

JFTJ105 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JFTJ105
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

JFTJ105 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:718K  fairchild semi
 j105 j106 j107 jftj105.pdf pdf_icon

JFTJ105

J105 JFTJ105J106J107GDGSSOT-223TO-92GSNOTE: Source & DrainD are interchangeableN-Channel SwitchThis device is designed for analog or digital switching applications wherevery low On Resistance is mandatory. Sourced from Process 59.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVDG Drain-Gate Voltage 25 VVGS Gate-Sour

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRLI640GPBF | HSU4006

 

 
Back to Top

 


 
.