JFTJ105. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: JFTJ105
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
Тип корпуса: SOT-223
Аналог (замена) для JFTJ105
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
JFTJ105 даташит
j105 j106 j107 jftj105.pdf
J105 JFTJ105 J106 J107 G D G S SOT-223 TO-92 G S NOTE Source & Drain D are interchangeable N-Channel Switch This device is designed for analog or digital switching applications where very low On Resistance is mandatory. Sourced from Process 59. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VDG Drain-Gate Voltage 25 V VGS Gate-Sour
Другие MOSFET... PS0151 , IPS0151S , ISL9N303AP3 , ISL9N303AS3ST , ISL9N303AS3 , J105 , J106 , J107 , AOD4184A , J174 , J175 , J176 , J177 , MMBFJ175 , MMBFJ176 , MMBFJ177 , J201 .
History: SE2306
History: SE2306
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
2sa970 datasheet | 2sc1627 | aoe6936 datasheet | g40t60an3h datasheet | j5027-r datasheet | transistor a1015 datasheet | bf199 transistor equivalent | bu801

