KSK596 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KSK596
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 1.5 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Paquete / Cubierta: TO-92S
Búsqueda de reemplazo de KSK596 MOSFET
KSK596 Datasheet (PDF)
ksk596.pdf

KSK596Capacitor Microphone Applications Especially Suited for use in Audio, Telephone Capacitor Microphones Excellent Voltage Characteristic Excellent Transient CharacteristicTO-92S11.Source 2. Gate 3. DrainSi N-channel Junction FETAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVGDO Gate-Drain Voltage -20 VIG Gate Current
ksk595h.pdf

KSK595HCapacitor Microphone Applications Especially Suited for use in Audio, Telephone Capacitor Microphones3 Excellent Voltage Characteristic Excellent Transient Characteristic2SOT-231 1.Drain 2. Source 3. GateSi N-channel Junction FETAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVGDO Gate-Drain Voltage -20 VIG Gate
Otros transistores... MMBFJ211 , MMBFJ212 , J270 , J271 , J304 , J305 , KSK30 , KSK595H , IRF3710 , LS4117 , LS4118 , LS4119 , MMBF4091 , MMBF4092 , MMBF4093 , PN4091 , PN4092 .
History: ELM14407AA | MSF15N60 | LND150N8 | HRLF150N10K | SJMN070R60SW | 2SK1958 | SI1480DH
History: ELM14407AA | MSF15N60 | LND150N8 | HRLF150N10K | SJMN070R60SW | 2SK1958 | SI1480DH



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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