KSK596 Todos los transistores

 

KSK596 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KSK596

Tipo de FET: JFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.1 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 1.5 V

Corriente continua de drenaje (Id): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Empaquetado / Estuche: TO-92S

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KSK596 Datasheet (PDF)

1.1. ksk596.pdf Size:46K _fairchild_semi

KSK596
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KSK596 Capacitor Microphone Applications Especially Suited for use in Audio, Telephone Capacitor Microphones Excellent Voltage Characteristic Excellent Transient Characteristic TO-92S 1 1.Source 2. Gate 3. Drain Si N-channel Junction FET Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VGDO Gate-Drain Voltage -20 V IG Gate Current 10 mA ID

5.1. ksk595h.pdf Size:64K _fairchild_semi

KSK596
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KSK595H Capacitor Microphone Applications Especially Suited for use in Audio, Telephone Capacitor Microphones 3 Excellent Voltage Characteristic Excellent Transient Characteristic 2 SOT-23 1 1.Drain 2. Source 3. Gate Si N-channel Junction FET Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VGDO Gate-Drain Voltage -20 V IG Gate Current 10

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