KSK596 - аналоги и даташиты транзистора

 

KSK596 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KSK596
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 1.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Тип корпуса: TO-92S
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KSK596 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:46K  fairchild semi
 ksk596.pdf pdf_icon

KSK596

KSK596Capacitor Microphone Applications Especially Suited for use in Audio, Telephone Capacitor Microphones Excellent Voltage Characteristic Excellent Transient CharacteristicTO-92S11.Source 2. Gate 3. DrainSi N-channel Junction FETAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVGDO Gate-Drain Voltage -20 VIG Gate Current

 9.1. Size:64K  fairchild semi
 ksk595h.pdf pdf_icon

KSK596

KSK595HCapacitor Microphone Applications Especially Suited for use in Audio, Telephone Capacitor Microphones3 Excellent Voltage Characteristic Excellent Transient Characteristic2SOT-231 1.Drain 2. Source 3. GateSi N-channel Junction FETAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVGDO Gate-Drain Voltage -20 VIG Gate

Другие MOSFET... MMBFJ211 , MMBFJ212 , J270 , J271 , J304 , J305 , KSK30 , KSK595H , IRF3710 , LS4117 , LS4118 , LS4119 , MMBF4091 , MMBF4092 , MMBF4093 , PN4091 , PN4092 .

History: UT100N03L-TQ2-R | IPD80R2K8CE

 

 
Back to Top

 


 
.