STP9NB50FP Todos los transistores

 

STP9NB50FP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STP9NB50FP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220FP
 

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STP9NB50FP Datasheet (PDF)

 6.1. Size:363K  st
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STP9NB50FP

STP9NB50STP9NB50FPN-CHANNEL 500V - 0.75 - 8.6 A TO-220/TO-220FPPowerMesh MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP9NB50 500 V

 6.2. Size:356K  st
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STP9NB50FP

STP9NB50STP9NB50FPN-CHANNEL 500V - 0.75 - 8.6 A TO-220/TO-220FPPowerMesh MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP9NB50 500 V

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STP9NB50FP

STP9NB60STP9NB60FPN - CHANNEL 600V - 0.7 - 9A TO-220/TO220FPPowerMESH MOSFETTYPE V R IDSS DS(on) DSTP9NB60 600 V

 8.2. Size:345K  st
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STP9NB50FP

STP9NB60STP9NB60FPN - CHANNEL 600V - 0.7 - 9A TO-220/TO220FPPowerMESH MOSFETTYPE V R IDSS DS(on) DSTP9NB60 600 V

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History: FDD86113LZ | SMG2305L | G2502 | G1008 | FCD1300N80Z | H01N60I

 

 
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