STP9NB50FP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STP9NB50FP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.9 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
Тип корпуса: TO-220FP
Аналог (замена) для STP9NB50FP
STP9NB50FP Datasheet (PDF)
stp9nb50-fp.pdf
STP9NB50STP9NB50FPN-CHANNEL 500V - 0.75 - 8.6 A TO-220/TO-220FPPowerMesh MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP9NB50 500 V
stp9nb50.pdf
STP9NB50STP9NB50FPN-CHANNEL 500V - 0.75 - 8.6 A TO-220/TO-220FPPowerMesh MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP9NB50 500 V
stp9nb60-fp.pdf
STP9NB60STP9NB60FPN - CHANNEL 600V - 0.7 - 9A TO-220/TO220FPPowerMESH MOSFETTYPE V R IDSS DS(on) DSTP9NB60 600 V
stp9nb60-fp .pdf
STP9NB60STP9NB60FPN - CHANNEL 600V - 0.7 - 9A TO-220/TO220FPPowerMESH MOSFETTYPE V R IDSS DS(on) DSTP9NB60 600 V
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: IXTA06N120P
History: IXTA06N120P
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918