PF5103 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PF5103
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.625 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 2.7 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.04 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Paquete / Cubierta: TO-92
Búsqueda de reemplazo de PF5103 MOSFET
PF5103 Datasheet (PDF)
pf5103.pdf

October 2006PF5103tmN-Channel SwitchFeatures This device is designed for low level analog switching sample and hold circuits and chopper stabilized amplifiers. Sourced from process 51. TO-92 Marking : PF51031 2 3 1. Drain 2. Source 3. GateAbsolute Maximum Ratings * Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVDG Drain-Gate Voltage 40 VVGS Ga
pf5102.pdf

PF5102N-Channel Switch This device is designed for low level analog switching, sample and hold circuits and chopper stabized amplifiers. Sourced from process 51. See J111 for characteristics.TO-9211. Drain 2. Source 3. GateAbsolute Maximum Ratings * TA=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVDG Drain-Gate Voltage 40 VVGS Gate-Source Voltage -40
Otros transistores... MPF102 , P1086 , P1087 , STP11NB40 , STP11NB40FP , STP9NB50 , STP9NB50FP , PF5102 , 18N50 , PN4302 , PN4303 , PN4861 , PN5432 , PN5433 , PN5434 , TIS73 , TIS74 .
History: MSU1N60T | IPA037N08N3 | R6020FNJ
History: MSU1N60T | IPA037N08N3 | R6020FNJ



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
bc547 transistor equivalent | 2sa1943 | tip41c datasheet | mje15032 | tip32c datasheet | mje15032g | irf1404 | bc550