PF5103 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PF5103
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.625 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 2.7 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.04 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Тип корпуса: TO-92
PF5103 Datasheet (PDF)
pf5103.pdf
October 2006PF5103tmN-Channel SwitchFeatures This device is designed for low level analog switching sample and hold circuits and chopper stabilized amplifiers. Sourced from process 51. TO-92 Marking : PF51031 2 3 1. Drain 2. Source 3. GateAbsolute Maximum Ratings * Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVDG Drain-Gate Voltage 40 VVGS Ga
pf5102.pdf
PF5102N-Channel Switch This device is designed for low level analog switching, sample and hold circuits and chopper stabized amplifiers. Sourced from process 51. See J111 for characteristics.TO-9211. Drain 2. Source 3. GateAbsolute Maximum Ratings * TA=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVDG Drain-Gate Voltage 40 VVGS Gate-Source Voltage -40
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918