J308 Todos los transistores

 

J308 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: J308
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 6.5 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.06 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 35 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-92
     - Selección de transistores por parámetros

 

J308 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:96K  vishay
 j308 sst308 j309 sst309 j310 sst310 u309 u310.pdf pdf_icon

J308

J/SST/U308 SeriesVishay SiliconixN-Channel JFETsJ308 SST308 U309J309 SST309 U310J310 SST310PRODUCT SUMMARYPart Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IDSS Min (mA)J308 -1 to -6.5 -25 8 12J309 -1 to -4 -25 10 12J310 -2 to -6.5 -25 8 24SST308 -1 to -6.5 -25 8 12SST309 -1 to -4 -25 10 12SST310 -2 to -6.5 -25 8 24U309 -1 to -4 -25 10 12U310 -2.5 to -6 -25 10

 ..2. Size:98K  siliconix
 j308 j309 j310 sst308 sst310 sst309 u309 u310.pdf pdf_icon

J308

J/SST/U308 SeriesN-Channel JFETsJ308 SST308 U309J309 SST309 U310J310 SST310Product SummaryPart Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IDSS Min (mA)J308 1 to 6.5 25 8 12J309 1 to 4 25 10 12J310 2 to 6.5 25 8 24SST308 1 to 6.5 25 8 12SST309 1 to 4 25 10 12SST310 2 to 6.5 25 8 24U309 1 to 4 25 10 12

 0.1. Size:98K  philips
 pmbfj308.pdf pdf_icon

J308

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETPMBFJ308; PMBFJ309;PMBFJ310N-channel silicon field-effecttransistorsProduct specification 1996 Sep 11Supersedes data of April 1995File under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationPMBFJ308; PMBFJ309;N-channel silicon field-effect transistorsPMBFJ310FEATURES PINNING - SOT23 Low noisePIN SYMBOL DE

 0.2. Size:68K  philips
 pmbfj308 pmbfj309 pmbfj310 2.pdf pdf_icon

J308

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETPMBFJ308; PMBFJ309;PMBFJ310N-channel silicon field-effecttransistorsProduct specification 1996 Sep 11Supersedes data of April 1995File under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationPMBFJ308; PMBFJ309;N-channel silicon field-effect transistorsPMBFJ310FEATURES PINNING - SOT23 Low noisePIN SYMBOL DE

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: BSS84KR | NCEP11N10AK

 

 
Back to Top

 


 
.