J308 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: J308
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 6.5 V
|Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.06 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 35 Ohm
Тип корпуса: TO-92
J308 Datasheet (PDF)
j308 sst308 j309 sst309 j310 sst310 u309 u310.pdf
J/SST/U308 SeriesVishay SiliconixN-Channel JFETsJ308 SST308 U309J309 SST309 U310J310 SST310PRODUCT SUMMARYPart Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IDSS Min (mA)J308 -1 to -6.5 -25 8 12J309 -1 to -4 -25 10 12J310 -2 to -6.5 -25 8 24SST308 -1 to -6.5 -25 8 12SST309 -1 to -4 -25 10 12SST310 -2 to -6.5 -25 8 24U309 -1 to -4 -25 10 12U310 -2.5 to -6 -25 10
j308 j309 j310 sst308 sst310 sst309 u309 u310.pdf
J/SST/U308 SeriesN-Channel JFETsJ308 SST308 U309J309 SST309 U310J310 SST310Product SummaryPart Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IDSS Min (mA)J308 1 to 6.5 25 8 12J309 1 to 4 25 10 12J310 2 to 6.5 25 8 24SST308 1 to 6.5 25 8 12SST309 1 to 4 25 10 12SST310 2 to 6.5 25 8 24U309 1 to 4 25 10 12
pmbfj308.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETPMBFJ308; PMBFJ309;PMBFJ310N-channel silicon field-effecttransistorsProduct specification 1996 Sep 11Supersedes data of April 1995File under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationPMBFJ308; PMBFJ309;N-channel silicon field-effect transistorsPMBFJ310FEATURES PINNING - SOT23 Low noisePIN SYMBOL DE
pmbfj308 pmbfj309 pmbfj310 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETPMBFJ308; PMBFJ309;PMBFJ310N-channel silicon field-effecttransistorsProduct specification 1996 Sep 11Supersedes data of April 1995File under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationPMBFJ308; PMBFJ309;N-channel silicon field-effect transistorsPMBFJ310FEATURES PINNING - SOT23 Low noisePIN SYMBOL DE
j308-j309-j310.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETJ308; J309; J310N-channel silicon field-effecttransistorsProduct specification 1996 Jul 30Supersedes data of April 1995File under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel silicon field-effect transistors J308; J309; J310FEATURES PINNING - TO-92 Low noisePIN SYMBOL DESCRIPTION Interchangea
2sj308.pdf
Ordering number:EN4318P-Channel Silicon MOSFET2SJ308Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm Ultrahigh-speed switching.2063A Low-voltage drive.[2SJ308] Micaless package facilitating mounting.4.510.02.83.22.41.61.20.70.751 2 3 1 : Gate2.55 2.552 : Drain3 : Source2.55 2.55SANYO : TO-
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F