TN0601L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TN0601L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.47 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm
Encapsulados: TO-92
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TN0601L datasheet
tn0601l vn0606l vn66afd.pdf
TN0601L, VN0606L, VN66AFD Vishay Siliconix N-Channel 60-V (D-S) MOSFETs PRODUCT SUMMARY Part Number V(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W) VGS(th) (V) ID (A) TN0601L 1.8 @ VGS = 10 V 0.5 to 2 0.47 VN0606L 60 3 @ VGS = 10 V 0.8 to 2 0.33 VN66AFD 3 @ VGS = 10 V 0.8 to 2.5 1.46 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D Low On-Resistance 1.2 W D Low Offset Voltage D Direct Logic-Level Interface TTL/CMO
tn0604.pdf
Supertex inc. TN0604 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features General Description Low threshold (1.6V max.) This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex s High input impedance well-proven, silicon-gate manufacturing process. This Low input capacitance (140pF typical) combination produces a dev
tn0606.pdf
Supertex inc. TN0606 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features General Description This low threshold, enhancement-mode (normally-off) Low threshold - 2.0V max. transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex s High input impedance well-proven, silicon-gate manufacturing process. This Low input capacitance - 100pF typical combination produces a de
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History: 7N80F | SMK0170I
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Liste
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