SMK0160 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SMK0160
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.625 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 0.3 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 3.9 nC
Tiempo de subida (tr): 5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 19.4 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 11.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-92
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SMK0160
SMK0160 Datasheet (PDF)
smk0160.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SMK0160Advanced N-Ch Power MOSFETSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features PIN Connection High Voltage : BVDSS=600V(Min.) D Low Crss : Crss=3.4pF(Typ.) Low gate charge : Qg=3.9nC(Typ.) Low RDS(on) : RDS(on)=11.5(Max.) G Ordering Information Type No. Marking Package Code G D S S SMK0160 SMK0160 TO-92TO-92 Marking Diagram SMK Column 1,
smk0160i.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SMK0160IAdvanced N-Ch Power MOSFETSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features PIN Connection High Voltage : BVDSS=600V(Min.) D Low Crss : Crss=3.4pF(Typ.) Low gate charge : Qg=3.9nC(Typ.) Low RDS(on) : RDS(on)=11.5(Max.) G Ordering Information Type No. Marking Package Code G D S S SMK0160I SMK0160 I-PAKI-PAK Marking Diagram SMK Colum
smk0160d.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SMK0160DAdvanced N-Ch Power MOSFETSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features PIN Connection High Voltage : BVDSS=600V(Min.) D Low Crss : Crss=3.4pF(Typ.) Low gate charge : Qg=3.9nC(Typ.) D Low RDS(on) : RDS(on)=11.5(Max.) G Ordering Information G Type No. Marking Package Code S S SMK0160D SMK0160 TO-252TO-252 Marking Diagram SMK C
smk0160is.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SM 160ISMK01 S Advan ower MOSFEnced N-Ch Po ET SW NG REG OR APPLICATIOWITCHIN GULATO ON Feeatures Drain-Sour own voltage 0V (Min.) rce breakdo e: BVDSS=600 Low gate c .) charge: Qg=3.9nC (Typ. Low drain- 5 (Max.) -source On resistance: RDS(on)=11.5 100% avalaanche tested RoHS comp ce pliant devicOr nformatiordering In on G D S Part N
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .