Справочник MOSFET. SMK0160

 

SMK0160 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SMK0160
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.625 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 19.4 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 11.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-92
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SMK0160 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:537K  auk
smk0160.pdfpdf_icon

SMK0160

SMK0160Advanced N-Ch Power MOSFETSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features PIN Connection High Voltage : BVDSS=600V(Min.) D Low Crss : Crss=3.4pF(Typ.) Low gate charge : Qg=3.9nC(Typ.) Low RDS(on) : RDS(on)=11.5(Max.) G Ordering Information Type No. Marking Package Code G D S S SMK0160 SMK0160 TO-92TO-92 Marking Diagram SMK Column 1,

 0.1. Size:533K  auk
smk0160i.pdfpdf_icon

SMK0160

SMK0160IAdvanced N-Ch Power MOSFETSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features PIN Connection High Voltage : BVDSS=600V(Min.) D Low Crss : Crss=3.4pF(Typ.) Low gate charge : Qg=3.9nC(Typ.) Low RDS(on) : RDS(on)=11.5(Max.) G Ordering Information Type No. Marking Package Code G D S S SMK0160I SMK0160 I-PAKI-PAK Marking Diagram SMK Colum

 0.2. Size:489K  auk
smk0160d.pdfpdf_icon

SMK0160

SMK0160DAdvanced N-Ch Power MOSFETSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features PIN Connection High Voltage : BVDSS=600V(Min.) D Low Crss : Crss=3.4pF(Typ.) Low gate charge : Qg=3.9nC(Typ.) D Low RDS(on) : RDS(on)=11.5(Max.) G Ordering Information G Type No. Marking Package Code S S SMK0160D SMK0160 TO-252TO-252 Marking Diagram SMK C

 0.3. Size:484K  auk
smk0160is.pdfpdf_icon

SMK0160

SM 160ISMK01 S Advan ower MOSFEnced N-Ch Po ET SW NG REG OR APPLICATIOWITCHIN GULATO ON Feeatures Drain-Sour own voltage 0V (Min.) rce breakdo e: BVDSS=600 Low gate c .) charge: Qg=3.9nC (Typ. Low drain- 5 (Max.) -source On resistance: RDS(on)=11.5 100% avalaanche tested RoHS comp ce pliant devicOr nformatiordering In on G D S Part N

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: UPA1980 | NVMFS5H600NL | DMP3035SFG | AO3402 | FDD5202P | IXFT32N50 | HSS2305A

 

 
Back to Top

 


 
.