FRM9140H MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FRM9140H
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 236 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO204AA
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FRM9140H PDF Specs
frm9140.pdf
FRM9140D, FRM9140R, FRM9140H 11A, -100V, 0.300 Ohm, Rad Hard, June 1998 P-Channel Power MOSFETs Features Package 11A, -100V, RDS(on) = 0.300 TO-204AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD... See More ⇒
frm9130.pdf
FRM9130D, FRM9130R, FRM9130H 6A, -100V, 0.550 Ohm, Rad Hard, June 1998 P-Channel Power MOSFETs Features Package 6A, -100V, RDS(on) = 0.550 TO-204AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(S... See More ⇒
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Liste
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