FRM9140H Todos los transistores

 

FRM9140H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FRM9140H

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 11 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 236 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.3 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO204AA

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FRM9140H

 

FRM9140H Datasheet (PDF)

3.1. frm9140.pdf Size:47K _intersil

FRM9140H
FRM9140H

FRM9140D, FRM9140R, FRM9140H 11A, -100V, 0.300 Ohm, Rad Hard, June 1998 P-Channel Power MOSFETs Features Package • 11A, -100V, RDS(on) = 0.300Ω TO-204AA • Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts • Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD

5.1. frm9130.pdf Size:57K _intersil

FRM9140H
FRM9140H

FRM9130D, FRM9130R, FRM9130H 6A, -100V, 0.550 Ohm, Rad Hard, June 1998 P-Channel Power MOSFETs Features Package • 6A, -100V, RDS(on) = 0.550Ω TO-204AA • Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts • Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(S

Otros transistores... FRM440R , FRM450D , FRM450H , FRM450R , FRM9130D , FRM9130H , FRM9130R , FRM9140D , 75339P , FRM9140R , FRM9230D , FRM9230H , FRM9230R , FRM9240D , FRM9240H , FRM9240R , FRM9250D .

 

 
Back to Top