Справочник MOSFET. FRM9140H

 

FRM9140H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FRM9140H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 236 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO204AA
 

 Аналог (замена) для FRM9140H

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FRM9140H Datasheet (PDF)

 7.1. Size:47K  intersil
 frm9140.pdf pdf_icon

FRM9140H

FRM9140D, FRM9140R,FRM9140H11A, -100V, 0.300 Ohm, Rad Hard,June 1998 P-Channel Power MOSFETsFeatures Package 11A, -100V, RDS(on) = 0.300TO-204AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD

 9.1. Size:57K  intersil
 frm9130.pdf pdf_icon

FRM9140H

FRM9130D, FRM9130R,FRM9130H6A, -100V, 0.550 Ohm, Rad Hard,June 1998 P-Channel Power MOSFETsFeatures Package 6A, -100V, RDS(on) = 0.550TO-204AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(S

Другие MOSFET... FRM440R , FRM450D , FRM450H , FRM450R , FRM9130D , FRM9130H , FRM9130R , FRM9140D , 12N60 , FRM9140R , FRM9230D , FRM9230H , FRM9230R , FRM9240D , FRM9240H , FRM9240R , FRM9250D .

History: FK10SM-9 | IPP037N08N3GE8181 | FK14KM-10 | VN0106N3

 

 
Back to Top

 


 
.