SMN09L20D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SMN09L20D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.25 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 9 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SMN09L20D

SMN09L20D Datasheet (PDF)

..1. Size:690K auk
smn09l20d.pdf

SMN09L20D Logic Level N-Ch Power MOSFET 200V LOGIC N-Channel MOSFET Features Drain-Source breakdown voltage: BV =200V (Min.) DSSD Low gate charge: Q =9nC (Typ.) g Low drain-source On-Resistance: R =0.34 (Typ.) DS(on) 100% avalanche tested RoHS compliant device G S Ordering Information TO-252 Part Number Marking Package SMN09L20D SMN09L20 T

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: