SMN09L20D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SMN09L20D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
Encapsulados: TO-252
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SMN09L20D datasheet
smn09l20d.pdf
SMN09L20D Logic Level N-Ch Power MOSFET 200V LOGIC N-Channel MOSFET Features Drain-Source breakdown voltage BV =200V (Min.) DSS D Low gate charge Q =9nC (Typ.) g Low drain-source On-Resistance R =0.34 (Typ.) DS(on) 100% avalanche tested RoHS compliant device G S Ordering Information TO-252 Part Number Marking Package SMN09L20D SMN09L20 T
Otros transistores... SMN01Z30Q , SMN0250F , SMN03T80F , SMN03T80IS , SMN0470F , SMN04L20D , SMN04L20IS , SMN0665F , IRFP250 , SMN18T50FD , SMNY2Z30 , STK0170 , STK0380D , STK0380F , STK730F , STK830D , STK830F .
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