STK0170 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STK0170
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.625 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 19 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 15 Ohm
Encapsulados: TO-92
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STK0170 datasheet
stk0170.pdf
STK0170 Advanced N-Ch Power MOSFET SWITCHING REGULATOR APPLICATION Features High voltage BVDSS=700V (Min.) Low gate charge Qg=4nC (Typ.) Low drain-source On resistance RDS(on)=12.5 (Max.) Low Crss Crss=2.5pF (Typ.) RoHS compliant device Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-92 STK0170 STK0170 TO-92 Marking Information ST
stk0160.pdf
STK0160 Semiconductor Semiconductor Advanced Power MOSFET SWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features High Voltage BVDSS=600V(Min.) Low Crss Crss=4.3pF(Typ.) Low gate charge Qg=4.5nC(Typ.) Low RDS(on) RDS(on)=9.4 (Max.) Ordering Information Type NO. Marking Package Code STK0160 STK0160 MPT Outline Dimensions unit mm 7.30 7.50 1.20 Max. 0
Otros transistores... SMN03T80IS , SMN0470F , SMN04L20D , SMN04L20IS , SMN0665F , SMN09L20D , SMN18T50FD , SMNY2Z30 , 10N65 , STK0380D , STK0380F , STK730F , STK830D , STK830F , STK830P , SUN0260D , SUN0260F .
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