STK0170 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STK0170
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.625 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 19 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 15 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-92
Búsqueda de reemplazo de STK0170 MOSFET
STK0170 Datasheet (PDF)
stk0170.pdf
STK0170Advanced N-Ch Power MOSFETSWITCHING REGULATOR APPLICATION Features High voltage: BVDSS=700V (Min.) Low gate charge: Qg=4nC (Typ.) Low drain-source On resistance: RDS(on)=12.5 (Max.) Low Crss: Crss=2.5pF (Typ.) RoHS compliant device Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-92 STK0170 STK0170 TO-92 Marking Information ST
stk0160.pdf
STK0160Semiconductor Semiconductor Advanced Power MOSFETSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features High Voltage: BVDSS=600V(Min.) Low Crss : Crss=4.3pF(Typ.) Low gate charge : Qg=4.5nC(Typ.) Low RDS(on) :RDS(on)=9.4(Max.) Ordering Information Type NO. Marking Package Code STK0160 STK0160 MPTOutline Dimensions unit : mm 7.30~7.50 1.20 Max. 0
Otros transistores... SMN03T80IS , SMN0470F , SMN04L20D , SMN04L20IS , SMN0665F , SMN09L20D , SMN18T50FD , SMNY2Z30 , 10N65 , STK0380D , STK0380F , STK730F , STK830D , STK830F , STK830P , SUN0260D , SUN0260F .
History: 4N60G-T2Q-T
History: 4N60G-T2Q-T
Liste
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