STK0170 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STK0170
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.625 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 19 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 15 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-92

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STK0170

STK0170 Datasheet (PDF)

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stk0170.pdf

STK0170Advanced N-Ch Power MOSFETSWITCHING REGULATOR APPLICATION Features High voltage: BVDSS=700V (Min.) Low gate charge: Qg=4nC (Typ.) Low drain-source On resistance: RDS(on)=12.5 (Max.) Low Crss: Crss=2.5pF (Typ.) RoHS compliant device Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-92 STK0170 STK0170 TO-92 Marking Information ST

9.1. Size:460K 1
stk0160.pdf

STK0160Semiconductor Semiconductor Advanced Power MOSFETSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features High Voltage: BVDSS=600V(Min.) Low Crss : Crss=4.3pF(Typ.) Low gate charge : Qg=4.5nC(Typ.) Low RDS(on) :RDS(on)=9.4(Max.) Ordering Information Type NO. Marking Package Code STK0160 STK0160 MPTOutline Dimensions unit : mm 7.30~7.50 1.20 Max. 0

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