Справочник MOSFET. STK0170

 

STK0170 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STK0170
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.625 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 15 Ohm
   Тип корпуса: TO-92
 

 Аналог (замена) для STK0170

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STK0170 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:353K  auk
 stk0170.pdf pdf_icon

STK0170

STK0170Advanced N-Ch Power MOSFETSWITCHING REGULATOR APPLICATION Features High voltage: BVDSS=700V (Min.) Low gate charge: Qg=4nC (Typ.) Low drain-source On resistance: RDS(on)=12.5 (Max.) Low Crss: Crss=2.5pF (Typ.) RoHS compliant device Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-92 STK0170 STK0170 TO-92 Marking Information ST

 9.1. Size:460K  1
 stk0160.pdf pdf_icon

STK0170

STK0160Semiconductor Semiconductor Advanced Power MOSFETSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features High Voltage: BVDSS=600V(Min.) Low Crss : Crss=4.3pF(Typ.) Low gate charge : Qg=4.5nC(Typ.) Low RDS(on) :RDS(on)=9.4(Max.) Ordering Information Type NO. Marking Package Code STK0160 STK0160 MPTOutline Dimensions unit : mm 7.30~7.50 1.20 Max. 0

Другие MOSFET... SMN03T80IS , SMN0470F , SMN04L20D , SMN04L20IS , SMN0665F , SMN09L20D , SMN18T50FD , SMNY2Z30 , STP80NF70 , STK0380D , STK0380F , STK730F , STK830D , STK830F , STK830P , SUN0260D , SUN0260F .

History: SSP60R105SFD2 | RU15P12C | R6004KNJ | WMJ80R480S | 4N90G-TF3-T | IPL65R310E6

 

 
Back to Top

 


 
.