STK0380D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STK0380D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STK0380D
STK0380D Datasheet (PDF)
stk0380d.pdf
S DSTK0380DAdvanced N-Ch Power MOSFEETSWIT G REG OR APP TION TCHING GULATO PLICATFeeatures BVDDS=8800V @Tjmax Low gate c = .) charge: Qg=19nC (Typ.D Low drain-source On resistance: RDS(on)=4.22 (Max.) RoHS com ce mpliant devic Halogen fre e ee packageG Or nformatiordering In on S Part Num Marking Packagember g TO-252 STK
stk0380f.pdf
STK0380FAdvanced N-Ch Power MOSFETSWITCHING REGULATOR APPLICATION Features Drain-source breakdown voltage: BVDSS=800V (Min.) Low gate charge: Qg=14.2nC (Typ.) Low drain-source On resistance: RDS(on)=3.5 (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-220F-3L STK0380F STK0380 TO-220F-3L
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History: IRF3205A
History: IRF3205A
Liste
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