STK0380D Todos los transistores

 

STK0380D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STK0380D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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STK0380D Datasheet (PDF)

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STK0380D

S DSTK0380DAdvanced N-Ch Power MOSFEETSWIT G REG OR APP TION TCHING GULATO PLICATFeeatures BVDDS=8800V @Tjmax Low gate c = .) charge: Qg=19nC (Typ.D Low drain-source On resistance: RDS(on)=4.22 (Max.) RoHS com ce mpliant devic Halogen fre e ee packageG Or nformatiordering In on S Part Num Marking Packagember g TO-252 STK

 7.1. Size:366K  auk
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STK0380D

STK0380FAdvanced N-Ch Power MOSFETSWITCHING REGULATOR APPLICATION Features Drain-source breakdown voltage: BVDSS=800V (Min.) Low gate charge: Qg=14.2nC (Typ.) Low drain-source On resistance: RDS(on)=3.5 (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-220F-3L STK0380F STK0380 TO-220F-3L

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History: ME2308D-G | WPM3022 | IRLL3303PBF | APT10090SFLL | WMN15N70C4 | WMJ28N60F2 | SI2308CDS

 

 
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