STK0380D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STK0380D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.2 Ohm
Encapsulados: TO-252
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STK0380D datasheet
stk0380d.pdf
S D STK0380D Advanced N-Ch Power MOSFE ET SWIT G REG OR APP TION TCHING GULATO PLICAT Fe eatures BVDDS=880 0V @Tjmax Low gate c = .) charge Qg=19nC (Typ. D Low drain-source On resistance RDS(on)=4.2 2 (Max.) RoHS com ce mpliant devic Halogen fre e ee package G Or nformatio rdering In on S Part Num Marking Package mber g TO-252 STK
stk0380f.pdf
STK0380F Advanced N-Ch Power MOSFET SWITCHING REGULATOR APPLICATION Features Drain-source breakdown voltage BVDSS=800V (Min.) Low gate charge Qg=14.2nC (Typ.) Low drain-source On resistance RDS(on)=3.5 (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-220F-3L STK0380F STK0380 TO-220F-3L
Otros transistores... SMN0470F , SMN04L20D , SMN04L20IS , SMN0665F , SMN09L20D , SMN18T50FD , SMNY2Z30 , STK0170 , 5N60 , STK0380F , STK730F , STK830D , STK830F , STK830P , SUN0260D , SUN0260F , SUN0460D .
History: SI2318DS-T1-GE3 | 2SK1704 | S70N06RP
History: SI2318DS-T1-GE3 | 2SK1704 | S70N06RP
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