STK0380D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STK0380D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.2 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для STK0380D
STK0380D Datasheet (PDF)
stk0380d.pdf

S DSTK0380DAdvanced N-Ch Power MOSFEETSWIT G REG OR APP TION TCHING GULATO PLICATFeeatures BVDDS=8800V @Tjmax Low gate c = .) charge: Qg=19nC (Typ.D Low drain-source On resistance: RDS(on)=4.22 (Max.) RoHS com ce mpliant devic Halogen fre e ee packageG Or nformatiordering In on S Part Num Marking Packagember g TO-252 STK
stk0380f.pdf

STK0380FAdvanced N-Ch Power MOSFETSWITCHING REGULATOR APPLICATION Features Drain-source breakdown voltage: BVDSS=800V (Min.) Low gate charge: Qg=14.2nC (Typ.) Low drain-source On resistance: RDS(on)=3.5 (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-220F-3L STK0380F STK0380 TO-220F-3L
Другие MOSFET... SMN0470F , SMN04L20D , SMN04L20IS , SMN0665F , SMN09L20D , SMN18T50FD , SMNY2Z30 , STK0170 , 13N50 , STK0380F , STK730F , STK830D , STK830F , STK830P , SUN0260D , SUN0260F , SUN0460D .
History: IRFHM792PBF | SRT08N100LD
History: IRFHM792PBF | SRT08N100LD



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2n3440 | bc550c | 2n3904 transistor datasheet | p75nf75 | d880 transistor | 2sc1845 | p60nf06 | 2sa1837