STK730F Todos los transistores

 

STK730F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STK730F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 46 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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STK730F Datasheet (PDF)

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STK730F

STK730FSemiconductor Semiconductor Power MOSFETSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features High Voltage: BVDSS=400V(Min.) Low Crss : Crss=8.4pF(Typ.) Low gate charge : Qg=16nC(Typ.) Low RDS(on) :RDS(on)=1.0(Max.) Ordering Information Type NO. Marking Package Code STK730F STK730 TO-220F-3LOutline Dimensions unit : mm 3.05~3.35 9.80~10.20 2.6

Otros transistores... SMN04L20IS , SMN0665F , SMN09L20D , SMN18T50FD , SMNY2Z30 , STK0170 , STK0380D , STK0380F , IRFZ46N , STK830D , STK830F , STK830P , SUN0260D , SUN0260F , SUN0460D , SUN0460F , SUN0460I2 .

History: STP3481 | FDD24AN06LA0_F085 | PSMN1R9-40PL | SUP85N03-07P | IPI180N10N3G

 

 
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