STK730F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STK730F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
Аналог (замена) для STK730F
STK730F Datasheet (PDF)
stk730f.pdf

STK730FSemiconductor Semiconductor Power MOSFETSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features High Voltage: BVDSS=400V(Min.) Low Crss : Crss=8.4pF(Typ.) Low gate charge : Qg=16nC(Typ.) Low RDS(on) :RDS(on)=1.0(Max.) Ordering Information Type NO. Marking Package Code STK730F STK730 TO-220F-3LOutline Dimensions unit : mm 3.05~3.35 9.80~10.20 2.6
Другие MOSFET... SMN04L20IS , SMN0665F , SMN09L20D , SMN18T50FD , SMNY2Z30 , STK0170 , STK0380D , STK0380F , IRFZ46N , STK830D , STK830F , STK830P , SUN0260D , SUN0260F , SUN0460D , SUN0460F , SUN0460I2 .
History: ME08N20-G | IRF7343PBF | IXFP8N85X | MTB23P06VT4 | RU40C20M3 | IPI50N12S3L-15 | MTD20N03HDLT4G
History: ME08N20-G | IRF7343PBF | IXFP8N85X | MTB23P06VT4 | RU40C20M3 | IPI50N12S3L-15 | MTD20N03HDLT4G



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2n3904 transistor datasheet | p75nf75 | d880 transistor | 2sc1845 | p60nf06 | 2sa1837 | ksc1845 transistor | irf630 datasheet