Справочник MOSFET. STK730F

 

STK730F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STK730F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STK730F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:405K  auk
 stk730f.pdf pdf_icon

STK730F

STK730FSemiconductor Semiconductor Power MOSFETSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features High Voltage: BVDSS=400V(Min.) Low Crss : Crss=8.4pF(Typ.) Low gate charge : Qg=16nC(Typ.) Low RDS(on) :RDS(on)=1.0(Max.) Ordering Information Type NO. Marking Package Code STK730F STK730 TO-220F-3LOutline Dimensions unit : mm 3.05~3.35 9.80~10.20 2.6

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: 2SK3715 | IPP12CNE8NG | SPU07N60S5 | STP270N8F7 | CS6N70CU | WMQ080N03LG2 | NTMSD2P102LR2

 

 
Back to Top

 


 
.