SUN0260D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SUN0260D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 32 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 2 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 6.5 nC
Tiempo de subida (tr): 25 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 36 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 4.7 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SUN0260D
SUN0260D Datasheet (PDF)
sun0260d.pdf
SUN0260D New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: RDS(on)=3.9 (Typ.) Low gate charge: Qg=6.5nC (Typ.) D Low reverse transfer capacitance: Crss=4.4pF (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested G Ordering Information S Part Number Marking Package TO-252 SUN0260D SUN0260 T
sun0260f.pdf
SUN0260F New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: RDS(on)=3.9 (Typ.) Low gate charge: Qg=6.5nC (Typ.) Low reverse transfer capacitance: Crss=4.4pF (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-220F-3L SUN0260F SUN0260 T
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