SUN0260D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SUN0260D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 36 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.7 Ohm
Encapsulados: TO-252
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SUN0260D datasheet
sun0260d.pdf
SUN0260D New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance RDS(on)=3.9 (Typ.) Low gate charge Qg=6.5nC (Typ.) D Low reverse transfer capacitance Crss=4.4pF (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested G Ordering Information S Part Number Marking Package TO-252 SUN0260D SUN0260 T
sun0260f.pdf
SUN0260F New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance RDS(on)=3.9 (Typ.) Low gate charge Qg=6.5nC (Typ.) Low reverse transfer capacitance Crss=4.4pF (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-220F-3L SUN0260F SUN0260 T
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