SUN0260F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SUN0260F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 36 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.7 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de SUN0260F MOSFET
SUN0260F Datasheet (PDF)
sun0260f.pdf

SUN0260F New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: RDS(on)=3.9 (Typ.) Low gate charge: Qg=6.5nC (Typ.) Low reverse transfer capacitance: Crss=4.4pF (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-220F-3L SUN0260F SUN0260 T
sun0260d.pdf

SUN0260D New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: RDS(on)=3.9 (Typ.) Low gate charge: Qg=6.5nC (Typ.) D Low reverse transfer capacitance: Crss=4.4pF (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested G Ordering Information S Part Number Marking Package TO-252 SUN0260D SUN0260 T
Otros transistores... STK0170 , STK0380D , STK0380F , STK730F , STK830D , STK830F , STK830P , SUN0260D , IRFB31N20D , SUN0460D , SUN0460F , SUN0460I2 , SUN0465F , SUN0465I2 , SUN0550D , SUN0550F , SUN0760F .



Liste
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