SUN0465F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SUN0465F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 54 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
Encapsulados: TO-220F
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SUN0465F datasheet
sun0465f.pdf
SUN0465F New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance RDS(on)=2.3 (Typ.) Low gate charge Qg=10nC (Typ.) Low reverse transfer capacitance Crss=4.7pF (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-220F-3L SUN0465F SUN0465 TO-
sun0465i2.pdf
SUN0465I2 New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance RDS(on)=2.3 (Typ.) Low gate charge Qg=10nC (Typ.) Low reverse transfer capacitance Crss=4.7pF (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package I2-PAK SUN0465I2 SUN0465 I2-PA
sun0460d.pdf
SUN0460D New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance RDS(on)=2.1 (Typ.) Low gate charge Qg=10nC (Typ.) D Low reverse transfer capacitance Crss=4.5pF (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested G Ordering Information S Part Number Marking Package TO-252 SUN0460D SUN0460 TO
sun0460f.pdf
SUN0460F New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance RDS(on)=2.1 (Typ.) Low gate charge Qg=10nC (Typ.) Low reverse transfer capacitance Crss=4.5pF (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-220F-3L SUN0460F SUN0460 TO-
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