Справочник MOSFET. SUN0465F

 

SUN0465F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SUN0465F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 54 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для SUN0465F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SUN0465F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:516K  auk
 sun0465f.pdf pdf_icon

SUN0465F

SUN0465F New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: RDS(on)=2.3 (Typ.) Low gate charge: Qg=10nC (Typ.) Low reverse transfer capacitance: Crss=4.7pF (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-220F-3L SUN0465F SUN0465 TO-

 7.1. Size:456K  auk
 sun0465i2.pdf pdf_icon

SUN0465F

SUN0465I2 New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: RDS(on)=2.3 (Typ.) Low gate charge: Qg=10nC (Typ.) Low reverse transfer capacitance: Crss=4.7pF (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package I2-PAK SUN0465I2 SUN0465 I2-PA

 8.1. Size:444K  auk
 sun0460d.pdf pdf_icon

SUN0465F

SUN0460D New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: RDS(on)=2.1 (Typ.) Low gate charge: Qg=10nC (Typ.) D Low reverse transfer capacitance: Crss=4.5pF (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested G Ordering Information S Part Number Marking Package TO-252 SUN0460D SUN0460 TO

 8.2. Size:516K  auk
 sun0460f.pdf pdf_icon

SUN0465F

SUN0460F New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: RDS(on)=2.1 (Typ.) Low gate charge: Qg=10nC (Typ.) Low reverse transfer capacitance: Crss=4.5pF (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-220F-3L SUN0460F SUN0460 TO-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STK830D , STK830F , STK830P , SUN0260D , SUN0260F , SUN0460D , SUN0460F , SUN0460I2 , K2611 , SUN0465I2 , SUN0550D , SUN0550F , SUN0760F , SUN0760I2 , SUN0765F , SUN0765I2 , SUN1060F .

History: HYG210P06LQ1D | IRFBC30APBF | WMO08N80M3 | NP75N04YUK | STP80N20M5 | HYG092N10LS1C2 | IRFSL4510

 

 
Back to Top

 


 
.