SUN1060F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SUN1060F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 154 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm
Encapsulados: TO-220F
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SUN1060F datasheet
sun1060f.pdf
SUN1060F New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance RDS(on)=0.6 (Typ.) Low gate charge Qg=27nC (Typ.) Low reverse transfer capacitance Crss=4.9pF (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-220F-3L SUN1060F SUN1060 TO
sun1060i2.pdf
SUN1060I2 New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance RDS(on)=0.6 (Typ.) Low gate charge Qg=27nC (Typ.) Low reverse transfer capacitance Crss=4.9pF (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package I2-PAK SUN1060I2 SUN1060 I2-PA
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History: APM4050PUC
History: APM4050PUC
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