Справочник MOSFET. SUN1060F

 

SUN1060F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SUN1060F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 27 nC
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 154 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F

 Аналог (замена) для SUN1060F

 

 

SUN1060F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:570K  auk
 sun1060f.pdf

SUN1060F SUN1060F

SUN1060F New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: RDS(on)=0.6 (Typ.) Low gate charge: Qg=27nC (Typ.) Low reverse transfer capacitance: Crss=4.9pF (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-220F-3L SUN1060F SUN1060 TO

 7.1. Size:473K  auk
 sun1060i2.pdf

SUN1060F SUN1060F

SUN1060I2 New Generation N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: RDS(on)=0.6 (Typ.) Low gate charge: Qg=27nC (Typ.) Low reverse transfer capacitance: Crss=4.9pF (Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package I2-PAK SUN1060I2 SUN1060 I2-PA

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IXFT16N90Q

 

 
Back to Top