SNN01Z10D Todos los transistores

 

SNN01Z10D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SNN01Z10D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 18 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 36 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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SNN01Z10D Datasheet (PDF)

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SNN01Z10D

SNN01Z10D Logic Level N-Ch Power MOSFET Logic Level Gate Drive Application Features Logic level gate drive Max. RDS(ON) = 0.24 at VGS = 10V, ID = 0.5A D Low RDS(on) provides higher efficiency ESD protected: 2000V (HBM 1000V) Halogen free and RoHS compliant device G Ordering Information S Part Number Marking Package TO-252 SNN01Z10D SNN01Z1

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SNN01Z10D

SN Z10QNN01Z Q Logic Le ower MOSFEevel N-Ch Po ET L evel Ga plicatioLogic Le ate Drive App on Feeatures Logic level e l gate drive Max. RDS(ON = 0.24 at VGS = 10V, ID = 0.5A N) Low RDS(on) provides hi ency igher efficieD ESD protec V (HBM: 10cted: 2000V 000V) Halogen fr HS complianree and RoH nt device G G D Or nformatiorderin

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 snn01z60q.pdf pdf_icon

SNN01Z10D

SN Z60QNN01Z Q Logic Le ower MOSFEevel N-Ch Po ET L evel Ga plicatioLogic Le ate Drive App on Feeatures Logic level e l gate drive Max. RDS(ON = 135m a Vat VGS = 10V, ID = 0.5A N) Low RDS(on) provides hi ency igher efficieD ESD protec V (HBM 500cted: 1000V 0V) Halogen fr HS complianree and RoH nt device G G D Or nformatiorde

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History: CS12N65FA9R | BRCS50N06IP | MPVU5N50CCFD

 

 
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