SNN01Z60Q MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SNN01Z60Q
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 69 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.135 Ohm
Encapsulados: SOT-223
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SNN01Z60Q datasheet
snn01z60q.pdf
SN Z60Q NN01Z Q Logic Le ower MOSFE evel N-Ch Po ET L evel Ga plicatio Logic Le ate Drive App on Fe eatures Logic level e l gate drive Max. RDS(ON = 135m a V at VGS = 10V, ID = 0.5A N) Low RDS(on) provides hi ency igher efficie D ESD protec V (HBM 500 cted 1000V 0V) Halogen fr HS complian ree and RoH nt device G G D Or nformatio rde
snn01z10d.pdf
SNN01Z10D Logic Level N-Ch Power MOSFET Logic Level Gate Drive Application Features Logic level gate drive Max. RDS(ON) = 0.24 at VGS = 10V, ID = 0.5A D Low RDS(on) provides higher efficiency ESD protected 2000V (HBM 1000V) Halogen free and RoHS compliant device G Ordering Information S Part Number Marking Package TO-252 SNN01Z10D SNN01Z1
snn01z10q.pdf
SN Z10Q NN01Z Q Logic Le ower MOSFE evel N-Ch Po ET L evel Ga plicatio Logic Le ate Drive App on Fe eatures Logic level e l gate drive Max. RDS(ON = 0.24 at VGS = 10V, ID = 0.5A N) Low RDS(on) provides hi ency igher efficie D ESD protec V (HBM 10 cted 2000V 000V) Halogen fr HS complian ree and RoH nt device G G D Or nformatio rderin
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History: BSB008NE2LX | CMD5950
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