SNN0630Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SNN0630Q
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 59 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SNN0630Q

SNN0630Q Datasheet (PDF)

..1. Size:383K auk
snn0630q.pdf

SNN0630Q Advanced N-Ch Trench MOSFET Portable Equipment Application Features Low On-state resistance: 28m at VGS = 10V, ID = 2.9A Low gate charge: Qg= 4.5nC (Typ.) High performance trench technology for extremely low RDS(on) 100% avalanche tested D Halogen free and RoHS compliant device G Ordering Information D S Part Number Marking Package S

9.1. Size:728K auk
snn060l10nl.pdf

SNN060L10NL N-Channel Trench MOSFET 100V N-channel Power MOSFETs Features Extremely low On-state resistance Excellent Q * R product (FOM) g DS(on) Advanced trench process technology Halogen free available and RoHS compliant device Ordering Information Part Number Marking Package TESOP-8 SNN060L10NL N060L10 TESOP-8 (DFN5x6) (DFN 5x6) Marking Informati

9.2. Size:864K auk
snn060l10f.pdf

SNN060L10F N-channel Trench MOSFET Features Extremely low On-state resistance Excellent QgxRDS(on) product (FoM) Advanced trench process technology Halogen-free & RoHS compliant device Applications Synchronous Rectification for AC/DC Quick Charger G D S Battery management UPS (Uninterruptible Power Supply) TO-220F-3L Ordering Information

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Liste

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