SNN5010D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SNN5010D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 640 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
Encapsulados: TO-252
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SNN5010D datasheet
snn5010d.pdf
SNN5010D Advanced N-Ch Power MOSFET DC/DC CONVERTER APPLICATIONS Features PIN Connection High Voltage BVDSS=100V(Min.) D Low Crss Crss=130pF(Typ.) Low gate charge Qg=75nC(Typ.) D Low RDS(ON) RDS(ON)=26m (Max.) G Ordering Information G S Type No. Marking Package Code S TO-252 SNN5010D SNN5010 TO-252 Marking Diagram SNN Column 1,
Otros transistores... SNN01Z10D , SNN01Z10Q , SNN01Z60Q , SNN0310Q , SNN0630Q , SNN2515D , SNN3515D , SNN4010D , AO4407A , STK0602U , STK5006P , STK7002 , STK7006P , STJ001SF , STJ004SF , STJ009 , STK001SF .
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Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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