SNN5010D Todos los transistores

 

SNN5010D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SNN5010D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 640 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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SNN5010D Datasheet (PDF)

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SNN5010D

SNN5010DAdvanced N-Ch Power MOSFETDC/DC CONVERTER APPLICATIONS Features PIN Connection High Voltage : BVDSS=100V(Min.) D Low Crss : Crss=130pF(Typ.) Low gate charge : Qg=75nC(Typ.) D Low RDS(ON) : RDS(ON)=26m(Max.) G Ordering Information G S Type No. Marking Package Code S TO-252 SNN5010D SNN5010 TO-252Marking Diagram SNN Column 1,

Otros transistores... SNN01Z10D , SNN01Z10Q , SNN01Z60Q , SNN0310Q , SNN0630Q , SNN2515D , SNN3515D , SNN4010D , AO3407 , STK0602U , STK5006P , STK7002 , STK7006P , STJ001SF , STJ004SF , STJ009 , STK001SF .

History: SQM120N04-1M7L | ME2306-G | WVM15N60 | APTC90DAM60CT1G | IRF832FI | NDP605B | TK5R1E06PL

 

 
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