SNN5010D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SNN5010D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 75 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 640 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SNN5010D

SNN5010D Datasheet (PDF)

..1. Size:403K auk
snn5010d.pdf

SNN5010DAdvanced N-Ch Power MOSFETDC/DC CONVERTER APPLICATIONS Features PIN Connection High Voltage : BVDSS=100V(Min.) D Low Crss : Crss=130pF(Typ.) Low gate charge : Qg=75nC(Typ.) D Low RDS(ON) : RDS(ON)=26m(Max.) G Ordering Information G S Type No. Marking Package Code S TO-252 SNN5010D SNN5010 TO-252Marking Diagram SNN Column 1,

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: