SNN5010D - описание и поиск аналогов

 

SNN5010D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SNN5010D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 640 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для SNN5010D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SNN5010D даташит

 ..1. Size:403K  auk
 snn5010d.pdf pdf_icon

SNN5010D

SNN5010D Advanced N-Ch Power MOSFET DC/DC CONVERTER APPLICATIONS Features PIN Connection High Voltage BVDSS=100V(Min.) D Low Crss Crss=130pF(Typ.) Low gate charge Qg=75nC(Typ.) D Low RDS(ON) RDS(ON)=26m (Max.) G Ordering Information G S Type No. Marking Package Code S TO-252 SNN5010D SNN5010 TO-252 Marking Diagram SNN Column 1,

Другие MOSFET... SNN01Z10D , SNN01Z10Q , SNN01Z60Q , SNN0310Q , SNN0630Q , SNN2515D , SNN3515D , SNN4010D , AO4407A , STK0602U , STK5006P , STK7002 , STK7006P , STJ001SF , STJ004SF , STJ009 , STK001SF .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.