Справочник MOSFET. SNN5010D

 

SNN5010D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SNN5010D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 640 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для SNN5010D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SNN5010D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:403K  auk
 snn5010d.pdf pdf_icon

SNN5010D

SNN5010DAdvanced N-Ch Power MOSFETDC/DC CONVERTER APPLICATIONS Features PIN Connection High Voltage : BVDSS=100V(Min.) D Low Crss : Crss=130pF(Typ.) Low gate charge : Qg=75nC(Typ.) D Low RDS(ON) : RDS(ON)=26m(Max.) G Ordering Information G S Type No. Marking Package Code S TO-252 SNN5010D SNN5010 TO-252Marking Diagram SNN Column 1,

Другие MOSFET... SNN01Z10D , SNN01Z10Q , SNN01Z60Q , SNN0310Q , SNN0630Q , SNN2515D , SNN3515D , SNN4010D , AO3407 , STK0602U , STK5006P , STK7002 , STK7006P , STJ001SF , STJ004SF , STJ009 , STK001SF .

History: WMK12N65D1B | SVF740T | STB20N95K5 | KIA2808A-220 | CRSD082N10L2 | IPI120N10S4-03 | RD3G400GN

 

 
Back to Top

 


 
.