Справочник MOSFET. SNN5010D

 

SNN5010D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SNN5010D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 640 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для SNN5010D

 

 

SNN5010D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:403K  auk
 snn5010d.pdf

SNN5010D SNN5010D

SNN5010DAdvanced N-Ch Power MOSFETDC/DC CONVERTER APPLICATIONS Features PIN Connection High Voltage : BVDSS=100V(Min.) D Low Crss : Crss=130pF(Typ.) Low gate charge : Qg=75nC(Typ.) D Low RDS(ON) : RDS(ON)=26m(Max.) G Ordering Information G S Type No. Marking Package Code S TO-252 SNN5010D SNN5010 TO-252Marking Diagram SNN Column 1,

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top