STK5006P Todos los transistores

 

STK5006P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STK5006P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 105 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 445 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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STK5006P datasheet

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STK5006P

STK5006P Semiconductor Semiconductor Advanced Power MOSFET SWITCHING REGURATOR APPLICATIONS Features High Voltage BVDSS=60V(Min.) Low Crss Crss=84pF(Typ.) Low gate charge Qg=26.7nC(Typ.) Low RDS(on) RDS(on)=22m (Max.) Ordering Information Type NO. Marking Package Code STK5006P STK5006 TO-220AB-3L Outline Dimensions unit mm 3.90 Max. 1.1

Otros transistores... SNN01Z60Q , SNN0310Q , SNN0630Q , SNN2515D , SNN3515D , SNN4010D , SNN5010D , STK0602U , IRFP064N , STK7002 , STK7006P , STJ001SF , STJ004SF , STJ009 , STK001SF , STK003SF , STK004SF .

History: STK0602U | ALD1102PAL | FCPF067N65S3

 

 

 

 

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