STK5006P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STK5006P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 120 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 50 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 26.7 nC
Tiempo de subida (tr): 105 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 445 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.022 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220AB
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STK5006P
STK5006P Datasheet (PDF)
stk5006p.pdf
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STK5006PSemiconductor Semiconductor Advanced Power MOSFETSWITCHING REGURATOR APPLICATIONS Features High Voltage: BVDSS=60V(Min.) Low Crss : Crss=84pF(Typ.) Low gate charge : Qg=26.7nC(Typ.) Low RDS(on) :RDS(on)=22m(Max.) Ordering Information Type NO. Marking Package Code STK5006P STK5006 TO-220AB-3LOutline Dimensions unit : mm 3.90 Max. 1.1
Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .