STK5006P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STK5006P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 105 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 445 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STK5006P

STK5006P Datasheet (PDF)

..1. Size:404K auk
stk5006p.pdf

STK5006PSemiconductor Semiconductor Advanced Power MOSFETSWITCHING REGURATOR APPLICATIONS Features High Voltage: BVDSS=60V(Min.) Low Crss : Crss=84pF(Typ.) Low gate charge : Qg=26.7nC(Typ.) Low RDS(on) :RDS(on)=22m(Max.) Ordering Information Type NO. Marking Package Code STK5006P STK5006 TO-220AB-3LOutline Dimensions unit : mm 3.90 Max. 1.1

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Liste

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