STK5006P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STK5006P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 105 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 445 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220AB
Búsqueda de reemplazo de STK5006P MOSFET
STK5006P Datasheet (PDF)
stk5006p.pdf
STK5006PSemiconductor Semiconductor Advanced Power MOSFETSWITCHING REGURATOR APPLICATIONS Features High Voltage: BVDSS=60V(Min.) Low Crss : Crss=84pF(Typ.) Low gate charge : Qg=26.7nC(Typ.) Low RDS(on) :RDS(on)=22m(Max.) Ordering Information Type NO. Marking Package Code STK5006P STK5006 TO-220AB-3LOutline Dimensions unit : mm 3.90 Max. 1.1
Otros transistores... SNN01Z60Q , SNN0310Q , SNN0630Q , SNN2515D , SNN3515D , SNN4010D , SNN5010D , STK0602U , IRFP064N , STK7002 , STK7006P , STJ001SF , STJ004SF , STJ009 , STK001SF , STK003SF , STK004SF .
History: SI2304BDS | 4N60KL-TF3T-T
History: SI2304BDS | 4N60KL-TF3T-T
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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