Справочник MOSFET. STK5006P

 

STK5006P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STK5006P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 105 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 445 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STK5006P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:404K  auk
 stk5006p.pdf pdf_icon

STK5006P

STK5006PSemiconductor Semiconductor Advanced Power MOSFETSWITCHING REGURATOR APPLICATIONS Features High Voltage: BVDSS=60V(Min.) Low Crss : Crss=84pF(Typ.) Low gate charge : Qg=26.7nC(Typ.) Low RDS(on) :RDS(on)=22m(Max.) Ordering Information Type NO. Marking Package Code STK5006P STK5006 TO-220AB-3LOutline Dimensions unit : mm 3.90 Max. 1.1

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SE4060 | ZXMN0545G4 | IPA600N25NM3S

 

 
Back to Top

 


 
.