SUF1002 Todos los transistores

 

SUF1002 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SUF1002
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 1.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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SUF1002 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:346K  auk
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SUF1002

SUF1002 Dual N-ch Trench MOSFET 30V, 5.8A N-channel Trench MOSFET Features Low drain-source On-resistance: RDS(on)=24m @VGS=10V, ID=2.9A Low gate charge: Qg=79.5nC (Typ.) High power and current handing capability Lead free product is acquired SOP-8 Ordering Information Part Number Marking Code Package Packaging SUF1002 SUF1002 SOP-8 Tape & Reel Marki

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History: IPP052N06L3G | SIHP11N80E | WCM2068 | 4N80 | IPI80N06S4-07 | MS5N100FD | SIHF16N50C

 

 
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