Справочник MOSFET. SUF1002

 

SUF1002 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SUF1002
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 1.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SUF1002 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:346K  auk
suf1002.pdfpdf_icon

SUF1002

SUF1002 Dual N-ch Trench MOSFET 30V, 5.8A N-channel Trench MOSFET Features Low drain-source On-resistance: RDS(on)=24m @VGS=10V, ID=2.9A Low gate charge: Qg=79.5nC (Typ.) High power and current handing capability Lead free product is acquired SOP-8 Ordering Information Part Number Marking Code Package Packaging SUF1002 SUF1002 SOP-8 Tape & Reel Marki

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRFP21N60LPBF | 5N65KL-TN3-R | 2N6451 | IRFR3910TR | LNG2N65 | 2N60L-TM3-T | BRCS030N04DP

 

 
Back to Top

 


 
.