SUM201MN Todos los transistores

 

SUM201MN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SUM201MN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN-8
 

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SUM201MN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:418K  auk
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SUM201MN

SUM201MNP-Channel MOSFET + PNP BJTIntegrated Power MOSFET with PNP Low VCE(sat) Switching Transistor DFN-8 This integrated device represents a new level of safety andboard-space reduction by combining the 20V P-Channel FET with aPNP Silicon Low VCE(sat) switching transistor. This newly integratedproduct provides higher efficiency and accuracy for battery poweredMOSFET portab

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SUM201MN

SUM201MNP-Channel MOSFET + PNP BJTIntegrated Power MOSFET with PNP Low VCE(sat) Switching Transistor DFN-8 This integrated device represents a new level of safety andboard-space reduction by combining the 20V P-Channel FET with aPNP Silicon Low VCE(sat) switching transistor. This newly integratedproduct provides higher efficiency and accuracy for battery poweredMOSFET portab

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SUM201MN

SUM202MNP-Channel MOSFET + PNP BJTIntegrated Power MOSFET with PNP Low VCE(sat) Switching Transistor DFN-8 8 This integrated device represents a new level of safety andboard-space reduction by combining the 20V P-Channel FET with a1 PNP Silicon Low VCE(sat) switching transistor. This newly integratedproduct provides higher efficiency and accuracy for battery poweredMOSFET

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History: AS2341 | LNH4N60 | IRFSL4410Z

 

 
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