SUM201MN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SUM201MN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Encapsulados: DFN-8
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SUM201MN datasheet
sum201mn.pdf
SUM201MN P-Channel MOSFET + PNP BJT Integrated Power MOSFET with PNP Low VCE(sat) Switching Transistor DFN-8 This integrated device represents a new level of safety and board-space reduction by combining the 20V P-Channel FET with a PNP Silicon Low VCE(sat) switching transistor. This newly integrated product provides higher efficiency and accuracy for battery powered MOSFET portab
sum201mn.pdf
SUM201MN P-Channel MOSFET + PNP BJT Integrated Power MOSFET with PNP Low VCE(sat) Switching Transistor DFN-8 This integrated device represents a new level of safety and board-space reduction by combining the 20V P-Channel FET with a PNP Silicon Low VCE(sat) switching transistor. This newly integrated product provides higher efficiency and accuracy for battery powered MOSFET portab
sum202mn.pdf
SUM202MN P-Channel MOSFET + PNP BJT Integrated Power MOSFET with PNP Low VCE(sat) Switching Transistor DFN-8 8 This integrated device represents a new level of safety and board-space reduction by combining the 20V P-Channel FET with a 1 PNP Silicon Low VCE(sat) switching transistor. This newly integrated product provides higher efficiency and accuracy for battery powered MOSFET
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History: AON6786
History: AON6786
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Liste
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