5N70K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 5N70K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
Encapsulados: TO-220F
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5N70K datasheet
5n70k.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 5N70K Preliminary Power MOSFET 5A, 700V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 5N70K is a high voltage power MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used in high speed switching applications a
swn5n70k swj5n70k.pdf
SW5N70K N-channel Enhanced mode TO-251N/TO-262N MOSFET Features TO-251N TO-262N BVDSS 700V ID 5A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.94 )@VGS=10V RDS(ON) 0.94 Low Gate Charge (Typ 13nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application LED, Charger, TV-Power 3 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General D
hms15n70d hms15n70k hms15n70f hms15n70b hms15n70 hms15n70i.pdf
HMS15N70K,HMS15N70I,HMS15N70 HMS15N70F, HMS15N70D, HMS15N70B 700V N-Channel MOSFET Features General Description Features -15A, 700V, RDS(on) typ.= 0.3 @VGS = 10 V This Power MOSFET is produced using H&M Semi s Advanced Super-Junction technology. - Low gate charge ( typical 43nC) - 7.6A, 500V, RDS(on) typ. = 0.5 @VGS = 10 V This advanced technology has been especially tailore
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Liste
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