Справочник MOSFET. 5N70K

 

5N70K MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: 5N70K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F

 Аналог (замена) для 5N70K

 

 

5N70K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:205K  utc
 5n70k.pdf

5N70K 5N70K

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 5N70K Preliminary Power MOSFET 5A, 700V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 5N70K is a high voltage power MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used in high speed switching applications a

 0.1. Size:414K  silan
 svs5n70fd2 svs5n70dd2tr svs5n70mjd2 svs5n70kd2.pdf

5N70K 5N70K

SVS5N70F(D)(MJ)(K)D2 5A700V MOS 2 123SVS5N70F(D)(MJ)(K)D2 N MOSFET TO-251J-3L1 MOS 3SVS5N70F(D)(MJ)(K)D2

 0.2. Size:907K  samwin
 swn5n70k swj5n70k.pdf

5N70K 5N70K

SW5N70K N-channel Enhanced mode TO-251N/TO-262N MOSFET Features TO-251N TO-262N BVDSS : 700V ID : 5A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.94)@VGS=10V RDS(ON) : 0.94 Low Gate Charge (Typ 13nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application:LED, Charger, TV-Power 3 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General D

 0.3. Size:1235K  cn hmsemi
 hms15n70d hms15n70k hms15n70f hms15n70b hms15n70 hms15n70i.pdf

5N70K 5N70K

HMS15N70K,HMS15N70I,HMS15N70HMS15N70F, HMS15N70D, HMS15N70B 700V N-Channel MOSFET FeaturesGeneral Description Features -15A, 700V, RDS(on) typ.= 0.3@VGS = 10 V This Power MOSFET is produced using H&M SemisAdvanced Super-Junction technology. - Low gate charge ( typical 43nC) - 7.6A, 500V, RDS(on) typ. = 0.5@VGS = 10 VThis advanced technology has been especially tailore

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top