Справочник MOSFET. 5N70K

 

5N70K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 5N70K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

5N70K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:205K  utc
5n70k.pdfpdf_icon

5N70K

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 5N70K Preliminary Power MOSFET 5A, 700V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 5N70K is a high voltage power MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used in high speed switching applications a

 0.1. Size:414K  silan
svs5n70fd2 svs5n70dd2tr svs5n70mjd2 svs5n70kd2.pdfpdf_icon

5N70K

SVS5N70F(D)(MJ)(K)D2 5A700V MOS 2 123SVS5N70F(D)(MJ)(K)D2 N MOSFET TO-251J-3L1 MOS 3SVS5N70F(D)(MJ)(K)D2

 0.2. Size:907K  samwin
swn5n70k swj5n70k.pdfpdf_icon

5N70K

SW5N70K N-channel Enhanced mode TO-251N/TO-262N MOSFET Features TO-251N TO-262N BVDSS : 700V ID : 5A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.94)@VGS=10V RDS(ON) : 0.94 Low Gate Charge (Typ 13nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application:LED, Charger, TV-Power 3 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General D

 0.3. Size:1235K  cn hmsemi
hms15n70d hms15n70k hms15n70f hms15n70b hms15n70 hms15n70i.pdfpdf_icon

5N70K

HMS15N70K,HMS15N70I,HMS15N70HMS15N70F, HMS15N70D, HMS15N70B 700V N-Channel MOSFET FeaturesGeneral Description Features -15A, 700V, RDS(on) typ.= 0.3@VGS = 10 V This Power MOSFET is produced using H&M SemisAdvanced Super-Junction technology. - Low gate charge ( typical 43nC) - 7.6A, 500V, RDS(on) typ. = 0.5@VGS = 10 VThis advanced technology has been especially tailore

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: IRLR3714Z | IPU60R1K0CE

 

 
Back to Top

 


 
.