7N65Z Todos los transistores

 

7N65Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 7N65Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 142 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 170 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.94 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220 TO-263
 

 Búsqueda de reemplazo de 7N65Z MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

7N65Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:189K  utc
 7n65z.pdf pdf_icon

7N65Z

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 7N65Z Power MOSFET 7.4A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 7N65Z is a high voltage power MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used in high speed switching applications of switchin

 0.1. Size:463K  trinnotech
 tmd7n65z tmu7n65z.pdf pdf_icon

7N65Z

TMD7N65Z(G)/TMU7N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 650V 6.5A

 0.2. Size:616K  trinnotech
 tmp7n65z tmpf7n65z.pdf pdf_icon

7N65Z

TMP7N65Z(G)/TMPF7N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 6.5A

Otros transistores... 8N70 , 9N70 , 10N70 , 12N70 , 15N70 , 6N65Z , 7N65A , 7N65 , IRFP450 , 7N65K , 8N65 , 9N65 , 10N65 , 10N65Z , 10N65K , 15N65 , 18N65 .

History: 2SK246 | AP9468GS

 

 
Back to Top

 


 
.