7N65Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 7N65Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 170 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.94 Ohm

Тип корпуса: TO-220 TO-263

Аналог (замена) для 7N65Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

7N65Z даташит

 ..1. Size:189K  utc
 7n65z.pdf pdf_icon

7N65Z

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 7N65Z Power MOSFET 7.4A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 7N65Z is a high voltage power MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used in high speed switching applications of switchin

 0.1. Size:463K  trinnotech
 tmd7n65z tmu7n65z.pdf pdf_icon

7N65Z

TMD7N65Z(G)/TMU7N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 650V 6.5A

 0.2. Size:616K  trinnotech
 tmp7n65z tmpf7n65z.pdf pdf_icon

7N65Z

TMP7N65Z(G)/TMPF7N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 6.5A

Другие IGBT... 8N70, 9N70, 10N70, 12N70, 15N70, 6N65Z, 7N65A, 7N65, AO4407, 7N65K, 8N65, 9N65, 10N65, 10N65Z, 10N65K, 15N65, 18N65