7N65Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 7N65Z
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 170 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.94 Ohm
Тип корпуса: TO-220 TO-263
Аналог (замена) для 7N65Z
7N65Z Datasheet (PDF)
7n65z.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 7N65Z Power MOSFET 7.4A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 7N65Z is a high voltage power MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used in high speed switching applications of switchin
tmd7n65z tmu7n65z.pdf

TMD7N65Z(G)/TMU7N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 650V 6.5A
tmp7n65z tmpf7n65z.pdf

TMP7N65Z(G)/TMPF7N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 6.5A
Другие MOSFET... 8N70 , 9N70 , 10N70 , 12N70 , 15N70 , 6N65Z , 7N65A , 7N65 , P60NF06 , 7N65K , 8N65 , 9N65 , 10N65 , 10N65Z , 10N65K , 15N65 , 18N65 .
History: ME2306-G | UTT50P10 | SHD225601
History: ME2306-G | UTT50P10 | SHD225601



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
bdw94c | bd140 transistor | 2n2222a datasheet | bd136 | tl431 datasheet | 2sd526 | 2n4403 transistor equivalent | 2sc1318