5N50K Todos los transistores

 

5N50K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 5N50K

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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5N50K datasheet

 ..1. Size:209K  utc
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5N50K

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 5N50K Power MOSFET 5A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 5N50K is an N-channel power MOSFET adopting 1 UTC s advanced technology to provide customers with DMOS, planar stripe technology. This technology is designed to meet the TO-220F requirements of the minimum on-state resistance and perfect switching performance. It also can

 0.1. Size:1635K  goford
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5N50K

G5N50K GOFORD Description 500V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Application Features R DS(ON)(Max) I VDSS D .@ VGS = 10V DC Motor Control and Class D Amplifier 500V 5A Uninterruptible Power Supply (UPS) 1.4 Fast switching HID 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS Compliant & Halogen-Free Package Ordering Informa

 0.2. Size:841K  allpower
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 0.3. Size:554K  cn hmsemi
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History: SWD051R08ES | AP9970GW | IXFT50N85XHV

 

 

 

 

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