UF634 Todos los transistores

 

UF634 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UF634

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 74 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 250 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 8.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 14 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 110 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.45 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-220, TO-252, TO-220F, TO-220F1

Búsqueda de reemplazo de MOSFET UF634

 

UF634 Datasheet (PDF)

1.1. uf634.pdf Size:380K _utc

UF634
UF634

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF634 Power MOSFET ADVANCED POWER MOSFET ? DESCRIPTION The UTC UF634 is a N-channel Power MOSFET and it uses UTC advanced technology to provide customers with lower RDS(ON), improved gate charge and so on. ? FEATURES * RDS(ON)<0.45?, VGS=10V * Lower Input Capacitance * Improved Gate Charge * Lower Leakage Current: 10?A (MAX.) @ VDS = 250V * Av

1.2. ceuf634 cedf634.pdf Size:390K _cet

UF634
UF634

CEDF634/CEUF634 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 250V, 6.7A, RDS(ON) = 450mΩ @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES TO-252(D-PAK) S TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless othe

 

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