FRS430D Todos los transistores

 

FRS430D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FRS430D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 50 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 60 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 2.52 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO257AA

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FRS430D

 

FRS430D Datasheet (PDF)

4.1. frs430.pdf Size:55K _intersil

FRS430D
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FRS430D, FRS430R, FRS430H 3A, 500V, 2.52 Ohm, Rad Hard, June 1998 N-Channel Power MOSFETs Features Package • 3A, 500V, RDS(on) = 2.52Ω TO-257AA • Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts • Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si) •

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