FRS430D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FRS430D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.52 Ohm

Тип корпуса: TO257AA

Аналог (замена) для FRS430D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FRS430D даташит

 8.1. Size:55K  intersil
 frs430.pdf pdf_icon

FRS430D

FRS430D, FRS430R, FRS430H 3A, 500V, 2.52 Ohm, Rad Hard, June 1998 N-Channel Power MOSFETs Features Package 3A, 500V, RDS(on) = 2.52 TO-257AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)

Другие IGBT... FRS234H, FRS234R, FRS240D, FRS240H, FRS240R, FRS244D, FRS244H, FRS244R, IRFP250, FRS430H, FRS430R, FRS440D, FRS440H, FRS440R, FRS9130D, FRS9130H, FRS9130R