Справочник MOSFET. FRS430D

 

FRS430D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FRS430D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.52 Ohm
   Тип корпуса: TO257AA
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FRS430D Datasheet (PDF)

 8.1. Size:55K  intersil
 frs430.pdf pdf_icon

FRS430D

FRS430D, FRS430R,FRS430H3A, 500V, 2.52 Ohm, Rad Hard,June 1998 N-Channel Power MOSFETsFeatures Package 3A, 500V, RDS(on) = 2.52TO-257AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)

Другие MOSFET... FRS234H , FRS234R , FRS240D , FRS240H , FRS240R , FRS244D , FRS244H , FRS244R , IRF2807 , FRS430H , FRS430R , FRS440D , FRS440H , FRS440R , FRS9130D , FRS9130H , FRS9130R .

History: FDW254P | IXFC80N10

 

 
Back to Top

 


 
.